[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 01129597.X | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1393927A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏;潘锡树;黄守伟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化硅只读存储器的制造方法，首先，在提供的基底上依次形成一第一氧化层与一氮化硅层；之后，图案化氮化硅层与第一氧化层，以形成一开口而暴露出部分基底；接着，进行一氧化过程，以在氮化硅层上形成一第二氧化硅层，并同时在开口所暴露的基底上形成一场氧化层；然后，图案化第二氧化层、氮化硅层与第一氧化层，以形成一氧化层－氮化硅层－氧化层的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于：该方法至少包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一第一氧化层；在该第一氧化层上形成一氮化硅层；图案化该氮化硅层与该第一氧化层，以形成一开口，该开口暴露出部分该基底；在该氮化硅层上形成一第二氧化层，并同时在该开口所暴露的该基底上形成一场氧化层；图案化该第二氧化层、该氮化硅层与该第一氧化层，以形成一氧化层-氮化硅层-氧化层的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
