[发明专利]一种浅沟道隔离结构的制造方法

摘要

一种浅沟道隔离结构的制造方法，此方法包括提供一个已形成有垫氧化层、罩幕层的基底，且在基底中形成有复数个沟道，在基底上形成绝缘层以填满沟道并覆盖整个基底，再在绝缘层上形成牺牲层，然后以干式回蚀刻法完全去除牺牲层，并去除绝缘层至一预定厚度，此时通过调整蚀刻参数与选择比，继续以干式回蚀刻法去除绝缘层，直至露出罩幕层表面，之后依次去除罩幕层以及垫氧化层，形成表面为圆弧形的绝缘结构。

主权项

1.一种浅沟道隔离结构的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一个基底；在该基底上形成一层垫氧化层；在该垫氧化层上形成一层罩幕层；定义该基底，在该基底中形成复数个沟道；然后在该基底上形成一层氧化硅绝缘层以覆盖该基底，并填满该沟道，其特征在于：此后，在该绝缘层上形成一层牺牲层；进行第一次回蚀工艺步骤，去除该牺牲层，并去除该氧化硅绝缘层至一预定厚度，以完成该氧化硅绝缘层的初步平坦化，在该第一次回蚀工艺步骤中，该牺牲层的蚀刻速率低于该氧化硅绝缘层的蚀刻速率；然后，进行第二次回蚀工艺步骤，去除该氧化硅绝缘层直至露出该罩幕层表面；去除该罩幕层；以及去除该垫氧化层，以形成表面为圆弧形的隔离结构。