[发明专利]金氧半导体晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 01129648.8 | 申请日： | 2001-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1393915A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赖汉昭;林宏穗;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先在已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底上进行一源/漏极离子植入，形成源/漏极区；接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准的金属硅化层；随后去除部分间隙壁，形成一锐角间隙壁；再对基底进行倾斜口袋离子植入，形成口袋掺杂区域，且通过控制此倾斜口袋离子植入的能量与角度，控制口袋掺杂区域的位置与掺质分布；最后去除锐角间隙壁，对基底进行一离子植入，形成源/漏极延伸区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上已形成有一栅极，且该栅极侧壁已形成有一间隙壁；在该间隙壁侧边的该基底内形成一源/漏极区；在该栅极与该源/漏极区暴露出的表面上形成复数个自行对准的金属硅化层；利用一蚀刻步骤去除部分该间隙壁，使其成为一锐角间隙壁；对该基底进行一倾斜口袋离子植入，以在该栅极侧边的该基底内形成一口袋掺杂区域，且通过控制该局部离子植入的能量与角度，以使口袋掺杂区域接近该基底表面；去除该锐角间隙壁；在该栅极侧边的该基底内形成一源/漏极延伸区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
