[发明专利]高功率半导体模块及其应用无效
| 申请号： | 01130398.0 | 申请日： | 2001-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1354514A | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | T·朗 | 申请（专利权）人： | ABB半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,梁永 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高功率半导体模块(10)包含多只平面的半导体芯片(14),这些芯片在制造第一电接触时以其下侧平面地处在底板(11)之上,并且在与底板(11)平行安排的盖板(13)的上侧面上,在制造第二电接触时,加压力。在这种模块中,可以通过构成背离半导体芯片(14)的底板(11)和盖板(13)的侧面或外侧面各自与半导体芯片(14)电绝缘实现简单的冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.高功率半导体模块(10)，其中，多只平面的半导体芯片(14)在制造第一电接触时以其下侧面平面地处于底板(11)之上，并且在与底板(11)平行安排的盖板(13)的上侧面上在制造第二电接触时加压力，其特征为，背离半导体芯片(14)的底板(11)和盖板(13)的侧面或外侧面各自构成为与半导体芯片(14)电绝缘。
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