[发明专利]常温金刚石晶体膜及其生成方法无效
| 申请号： | 01130496.0 | 申请日： | 1997-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1389593A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘铁林;刘南林 | 申请（专利权）人： | 刘铁林 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种人工合成材料——纳米金刚石晶体膜及其生成方法。是将含碳烃类的碳原子在真空环境时变成正四面体的SP3气态活性碳原子,即使活性碳原子在一定物体上沉积结晶达成一层致密的均匀光滑的金刚石结构固态晶体膜,提供一种在常温低压下生成金刚石晶体膜的方法及工艺。通过本发明在不同物质金属、玻璃纤维、塑料等表面生成金刚石晶体膜,开发具有金刚石膜性能新产品。 | ||
| 搜索关键词： | 常温 金刚石 晶体 及其 生成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种常温低压条件制备金刚石晶体膜及其生成方法其特征在于制备金刚石晶体膜的反应系统和条件。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
