[发明专利]非挥发性内存的结构有效
| 申请号： | 01130920.2 | 申请日： | 2001-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1407624A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 范左鸿;卢道政;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性内存的结构，包含一基底、一堆栈栅结构以及一源/漏极区。其中，堆栈栅结构位于基底上，源/漏极区位于堆栈栅结构两侧的基底中，且基底内有一垂直阶梯信道掺杂轮廓。此垂直阶梯信道掺杂轮廓分为基底表面下的第一掺杂区，以及位于第一掺杂区下且紧临第一掺杂区的第二掺杂区，其中第二掺杂区的浓度高于第一掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 内存 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性内存的结构，其特征为：包括：一基底，该基底中具有一垂直阶梯式信道掺杂轮廓，该垂直阶梯式信道掺杂轮廓分为位于该基底表面下的一第一掺杂区，以及位于该第一掺杂区下且紧临该第一掺杂区的一第二掺杂区，其中该第二掺杂区的掺杂浓度高于该第一掺杂区；一堆栈栅结构，位于该基底上；一源/漏极区，位于该堆栈栅结构两侧的该基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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