[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 01131034.0 | 申请日： | 2001-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1342983A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 饭田真久;大田清人;山崎裕之;川上博平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;H01L27/04;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体集成电路器件,它包括形成在P型半导体区域内的N型第1阱;多条字线;多条数据线;多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列;和多条数据线耦合的传感放大器的列;驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入,将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路器件，其中：包括：形成在P型半导体区域内的N型第1阱；多条字线；多条数据线；多个存储单元排列在上述第1阱上而形成的矩阵状DRAM(DynamicRandom-AccessMemory)存储单元阵列，每一个存储单元又都是由其栅极接在上述多条字线中与其相对应的一条上、其源极接在上述多条数据线中与其相对应的一条上的P沟道型MOS(MetalOxideSemiconductor)存取晶体管、和被接在上述存取晶体管的漏极上的电容器组成的；和上述多条数据线耦合的传感放大器的列；驱动上述多条字线的字线驱动器；以及以自外部供来的外部供给电压为输入，将降低上述外部供给电压而生成的内部电源电压供向上述传感放大器、上述字线驱动器及上述第1阱的内部电源电路。
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