[发明专利]多孔性低介电常数材料的制造方法无效

专利信息
申请号: 01131056.1 申请日: 2001-09-10
公开(公告)号: CN1157769C 公开(公告)日: 2004-07-14
发明(设计)人: 李世达;徐震球 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L21/283
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘朝华
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多孔性低介电常数材料的制造方法,主要是利用临界点干燥的方式,配合压力、温度的变化,将特定湿膜组成物中的液体成分予以释出,而形成具有多孔性结构的低介电常数材料。具有高稳定性、不易碎裂、高硬度、粘着度佳、热膨胀系数低等优点;可兼容于化学机械研磨制程;具有制程简单及成本低,故可广泛地应用至各种需要使用低介电材料的应用场合中,例如积体电路的镶嵌制程、液晶显示器或通讯用积体电路等的应用上。
搜索关键词: 多孔 介电常数 材料 制造 方法
【主权项】:
1、一种多孔性低介电常数材料的制造方法,其特征是,它至少依次包含如下步骤:(1)提供一基板;(2)形成一含有液体成分的第一组成物于该基板上;(3)在第一气压下,通入液态气体混合入该第一组成物,制得第二组成物;(4)改变该第一气压,使该液态气体进行挥发;该液态气体从该第二组成物挥发释出的同时,并带出该第二组成物中的液体成分,形成第三组成物;(5)烘烤该第三组成物,以形成具有多孔性结构的第四组成物;(6)固化该第四组成物;所述的第一组成物是选自含硅有机溶液组成物、或含碳有机溶液组成物之一;所述的第一气压是大于所述的液态气体的临界点压力;所述的液态气体选自液态二氧化碳、液态氮、液态一氧化碳的其中之一。
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