[发明专利]多孔性低介电常数材料的制造方法无效
申请号: | 01131056.1 | 申请日: | 2001-09-10 |
公开(公告)号: | CN1157769C | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
发明(设计)人: | 李世达;徐震球 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/283 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘朝华 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种多孔性低介电常数材料的制造方法,主要是利用临界点干燥的方式,配合压力、温度的变化,将特定湿膜组成物中的液体成分予以释出,而形成具有多孔性结构的低介电常数材料。具有高稳定性、不易碎裂、高硬度、粘着度佳、热膨胀系数低等优点;可兼容于化学机械研磨制程;具有制程简单及成本低,故可广泛地应用至各种需要使用低介电材料的应用场合中,例如积体电路的镶嵌制程、液晶显示器或通讯用积体电路等的应用上。 | ||
搜索关键词: | 多孔 介电常数 材料 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种多孔性低介电常数材料的制造方法,其特征是,它至少依次包含如下步骤:(1)提供一基板;(2)形成一含有液体成分的第一组成物于该基板上;(3)在第一气压下,通入液态气体混合入该第一组成物,制得第二组成物;(4)改变该第一气压,使该液态气体进行挥发;该液态气体从该第二组成物挥发释出的同时,并带出该第二组成物中的液体成分,形成第三组成物;(5)烘烤该第三组成物,以形成具有多孔性结构的第四组成物;(6)固化该第四组成物;所述的第一组成物是选自含硅有机溶液组成物、或含碳有机溶液组成物之一;所述的第一气压是大于所述的液态气体的临界点压力;所述的液态气体选自液态二氧化碳、液态氮、液态一氧化碳的其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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