[发明专利]室温GaAs红外探测器

摘要

本发明公开了一种基于平板电容随温度变化原理设计的室温GaAs红外探测器。该探测器的结构是：在GaAs衬底上，有一与GaAs衬底牢固结合的高掺杂Si GaAs平板电容下电极层，在下电极层与上电极层的一端头之间有一AlAs间隔支撑层，支撑平板电容上电极层，使上电极层的突出部分被悬空，上电极层的材料为高掺杂SiGaAs，在上电极层上覆盖着一层Si₃N₄吸热层。当探测器的吸热层受到热辐射时，引起上、下电极层之间的距离变化，从而引起电容的相对变化。该探测器的电容相对变化量可比现有的可实现间距为200纳米的Si探测器的电容相对变化量更大，进而具有更高的探测灵敏度，形成性能优越的红外探测器。

主权项

1.一种室温GaAs红外探测器，包括衬底、下电极层、间隔支撑层、上电极层，其特征在于：在GaAs衬底上，有一与GaAs衬底(1)牢固结合的厚度为1-2微米的高掺杂Si:GaAs平板电容下电极层(2)，在下电极层与上电极层的一端头之间有一厚度为30-60纳米的AlAs间隔支撑层(3)，支撑平板电容上电极层(4)，使上电极层部分被悬空，上电极层的厚度为300-1000纳米，上电极层为高掺杂Si:GaAs，在上电极层上覆盖着一层比上电极层四周边长小的厚度为80-120纳米的Si3N4吸热层(5)，在上电极层和下电极层边上分别有一个引出电极(6)。