[发明专利]结构自对准制作微机械热堆红外探测器的红外吸收层方法无效
申请号: | 01131975.5 | 申请日: | 2001-10-22 |
公开(公告)号: | CN1342887A | 公开(公告)日: | 2002-04-03 |
发明(设计)人: | 徐峥谊;熊斌;王翊;王跃林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海冶金研究所 |
主分类号: | G01J1/00 | 分类号: | G01J1/00;G01J1/42;H01L31/09 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种结构自对准制作微机械热堆红外探测器的红外吸收层方法,属于微机械领域,其特点是从单晶硅片的正面和反面同时进行腐蚀,在热堆背面得到一个与红外吸收区大小相仿的窗口,通过此窗口的对准作用,在氮气氛下蒸发黑体,使黑体沉积在热堆的背后。所以本发明的最为关键的工艺是利用硅各向异性腐蚀生成的结构,自对准沉积黑体制作红外吸收层。这样既可一次成型,省去了光刻等相关工艺,降低了生产成本;又可精确定位生成红外吸收层,提高器件的成品率。 | ||
搜索关键词: | 结构 对准 制作 微机 械热堆 红外探测器 红外 吸收 方法 | ||
【主权项】:
1.一种结构自对准制作微机械热堆红外探测器的红外吸收层方法,其特征在于从单晶硅片的正面和反面同时进行腐蚀,在热堆背面得到一个与红外吸收区大小相仿的窗口,通过此窗口的对准作用,在氮气氛下蒸发黑体,使黑体沉积在热堆的背后。
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