[发明专利]导电性纳米氮化钛－氧化铝复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 01132376.0 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1147447C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 高濂;李景国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/117;C04B35/622;C04B35/645;H01B1/08 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备导电性纳米氮化钛-氧化铝复合材料的方法，属于氧化铝基复合材料领域。主要特征是以含钛的化合物和含铝的化合物通过共沉淀法首先制得纳米氧化钛-氧化铝复合粉体，然后在氨气气氛中将纳米氧化钛-氧化铝复合粉体于管式反应炉中高温氮化制得纳米氮化钛-氧化铝复合粉体。最后采用热压烧结技术制得导电性纳米氮化钛-氧化铝复合材料。制备的纳米复合材料的组成范围是TiN/Al2O3(体积比)为5/95-25/75，在优化条件下，电阻率为1.5-8×10-3Ω.cm。本方法制备的纳米氮化钛-氧化铝复合粉体具有成份分布均匀、烧结性能好的特点，制备的纳米复合材料具有良好的微结构和较高的导电性，氮化钛纳米颗粒尺寸小于100纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 纳米 氮化 氧化铝 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电性氮化钛-氧化铝复合材料的制备方法，包括共沉淀、氮化、热压烧结工艺过程，其特征在于制备工艺过程分三步：(1)锐钛矿型纳米氧化钛-氧化铝复合粉体的制备；(2)纳米氧化钛-氧化铝复合粉体原位氮化制成纳米氮化钛-氧化铝复合粉体；(3)以纳米氮化钛-氧化铝复合粉体为原料，在氮气氛下，利用热压烧结技术制得导电性纳米氮化钛-氧化铝复合材料。
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