[发明专利]具有内建电路的光探测器及其生产方法无效
| 申请号： | 01132454.6 | 申请日： | 2001-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1162916C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 泷本贵博;大久保勇;笠松利光;久保胜;谷善平 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有内建电路的光探测器，其包括一半导体基板、一设置在半导体基板上的集成电路，以及一设置在半导体基板上的光电二极管。集成电路包括设置在集成电路的至少一部分上的SiGe层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电路 探测器 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有内建电路的光探测器，包括：半导体基板；设置在半导体基板上的集成电路；以及设置在半导体基板上的光电二极管，其中，集成电路包括晶体管，该晶体管包括设置在集成电路的至少一部分上的SiGe层；并且其中光电二极管包括设置在半导体基板上的抗反射膜，且抗反射膜包括热氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
