[发明专利]在磁阻存储器中加速老化的电路装置和方法有效
| 申请号： | 01132512.7 | 申请日： | 2001-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1345068A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在MRAM中加速老化的电路装置和方法,其中装设了附加的装置(T5,T6),以便向存储单元(Z)中较靠近软磁层(WM)的控制线(WL)馈入一个较大的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 加速 老化 电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.在具有存储单元区的MRAM中加速老化的电路装置，在所述的存储单元区中，在两种控制线(WL，BL)的交叉点处布置有许多具有软磁层(WM)和硬磁层(HM)的存储单元(Z)，且总是可以通过所述第一控制单元(1，2)向所述的两种控制线馈入控制信号，其特征在于：还装设一个第二控制单元(T5，T6)并联在所述第一控制单元(1，2)上，利用该第二控制单元向所属的控制线(WL)馈入一个比经所述第一控制单元(1，2)所馈入的电流要更大的电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01132512.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁盘机
- 下一篇：天然等同呋喃类香料及其制备方法
