[发明专利]局部形成硅化金属层的方法

摘要

本发明提供一在集成电路上局部形成硅化金属层的方法，所述方法主要是利用设计法适当地安排元件间的距离。为在集成电路上形成硅化金属但是要避免在同一字符线上相邻存储间形成硅化金属，则可事先在相邻两个存储间的间隔区域内形成一介电层以作为幕罩层。如此则可在之后的选择性蚀刻步骤中保护在上述间隔区域内的硅底材避免裸露出来，从而可避免于此间隔区域内形成硅化金属。因此，所述方法可避免同一字符线上存储间形成硅化金属而造成遗漏电流现象。

主权项

1.一种局部形成硅化金属层的方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一硅底材，在所述硅底材上至少可区分为一阵列区域以及一周边区域；形成一第一介电层于所述阵列区域内的所述硅底材上，以及数个第一晶体管于所述第一介电层之上，其中所述数个第一晶体管中相邻两栅极间有一第一间隔区域；形成数个第二晶体管于所述周边区域内的所述硅底材之上，其中所述数个第二晶体管中相邻两栅极间有一第二间隔区域，且所述第二间隔区域大于所述第一间隔区域；共形地沉积氮化硅层以覆盖所述硅底材、所述阵列区域、以及所述周边区域；进行一第一选择性蚀刻步骤以除去部分所述氮化硅层以形成所述数个第一晶体管的数个第一侧壁与所述数个第二晶体管的数个第二侧壁，其中所述第一间隔区域的部份区域被所述数个第一侧壁所覆盖，而所述第二间隔区域的部份区域被所述数个第二侧壁所覆盖；沉积一第一氧化硅层以覆盖所述阵列区域、所述周边区域、所述数个第一晶体管、所述数个第二晶体管、所述数个第一侧壁、与所述数个第二侧壁；进行一离子植入以形成所述数个第一晶体管的漏区与源区，以及形成所述数个第二晶体管的漏区与源区；沉积一第二氧化硅层于所述第一氧化硅层的表面上；进行一第二选择性蚀刻步骤以除去部份所述第一氧化硅层与部份所述第二氧化硅层，以裸露出所述数个第一晶体管的栅极表面与所述数个第二晶体管的栅极表面，但是不可裸露出在所述第一间隔区域内的硅底材表面；沉积一光阻层以覆盖整个所述阵列区域与整个所述周边区域；除去位于周边区域的所述光阻层；以所述光阻层为一幕罩，进行一第三选择性蚀刻步骤以完全除去位于所述周边区域之上的所述第一氧化硅层与所述第二氧化硅层；除去所述光阻层；沉积一金属层以覆盖所述硅底材、整个所述阵列区域、与整个所述周边区域；进行一加热步骤以形成硅化金属；以及除去所述金属层。