[发明专利]边沿反射型表面声波器件的频率特性调节方法与制造方法有效
| 申请号： | 01132669.7 | 申请日： | 2001-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1166056C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 门田道雄;高桑泰隆;林诚刚;吾乡纯也;堀内秀哉;池浦守 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法，包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着，在一对位置的至少一个位置上切割压电基片，当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时，该位置限定的距离便短于预定距离；而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时，该位置限定的距离则长于预定距离。 | ||
| 搜索关键词： | 边沿 反射 表面 声波 器件 频率特性 调节 方法 制造 | ||
【主权项】：
1、一种调节边沿反射型表面声波器件的频率特性的方法，其特性在于包括步骤：确定具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性，所述边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离；和在一对位置的至少一个位置上切割压电基片，在边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于获得的频率特性时，所述位置限定的距离短于预定距离，并且在一对位置的至少一个位置上切割压电基片，在边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于获得的频率特性时，所述位置限定的距离长于预定距离。
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