[发明专利]局部形成硅化物金属层的方法

摘要

本发明主要是提供一方法以在集成电路上局部形成硅化金属层。本方法可以避免在需要高电阻值的元件表面上形成硅化金属，所以不会降低这些元件的功效。本方法亦可以避免因为同一字元线上之存储器间形成硅化金属而造成的遗漏电流现象。本发明的方法主要是在不需在表面上形成硅化金属的元件上形成一遮罩。而在存储器之间的间隔区域内则利用设计法则使介电物质沉积于其中的厚度较厚，使得在之后的回蚀步骤中不会被完全除去。然后，才沉积一金属层以及进行一加热步骤以形成硅化金属。如此，则可达到上述的目的。

主权项

1.一种局部形成硅化金属层的方法，该方法至少包含下列步骤：提供一硅底材，在该硅底材上至少可区分为一阵列区域以及一周边区域；形成一第一介电层于该阵列区域内的硅底材上，以及多个第一晶体管于该第一介电层之上，其中该多个第一晶体管中相邻两第一晶体管间有一第一间隔区域；形成多个第二晶体管于该周边区域内的该底材之上，其中该多个第二晶体管中相邻两第二晶体管间有一第二间隔区域，且该第二间隔区域大于该第一间隔区域；形成多个半导体元件于该周边区域内的该底材之上；共形地沉积一第二介电层以覆盖该底材、该阵列区域、该周边区域、该多个第一晶体管、该多个第二晶体管、以及该多个半导体元件；进行一第一蚀刻步骤以除去大部分该第二介电层，剩余的该第二介电层存在于该第一间隔区域内；共形地沉积一第三介电层以覆盖该底材、该阵列区域、该周边区域、该多个第一晶体管、该多个第二晶体管、该多个半导体元件，以及该第二介电层；沉积一光阻层以覆盖该第三介电层；除去位于该多个半导体元件上方的该光阻层；以该光阻层为一掩模，进行一第二蚀刻步骤以除去部分该第三介电层，剩余的该第三介电层位于该第二介电层与该多个半导体元件之上方；除去该光阻层；沉积一金属层以覆盖该硅底材、该阵列区域、该周边区域、该多个第一晶体管、该多个第二晶体管、以及该第三介电层；进行一加热步骤以形成硅化金属；除去该金属层，以及除去该第三介电层。