[发明专利]一种MgO功能薄膜制备方法无效
| 申请号： | 01133478.9 | 申请日： | 2001-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1156600C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 闻立时;卢春燕;孙超;肖金泉;宫骏;王冰;王铁钢;杜昊;黄荣芳;刘艳梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种MgO功能薄膜制备方法，采用S-枪磁控溅射法，具体为：采用呈倒圆锥状的纯Mg作靶，HF酸清洗基体，装炉后将真空室抽至6～8×10-3Pa，以Ar气为保护气体，O2气为反应气体，通入Ar气与O2，使Ar气的导气管口靠近Mg靶，O2的导气管口靠近基体，工作参数：工作压强为4～8Pa，溅射电流为1～4A，获得厚度约为0.5～1μm、致密均匀的MgO功能薄膜。本发明具有经济、无公害，沉积速度快，可在低温下沉积晶粒细小、致密度高特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgo 功能 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MgO功能薄膜制备方法，采用S-枪磁控溅射法，其特征在于：采用呈倒圆锥状的纯Mg作靶，HF酸清洗基体，装炉后将真空室抽至6～8×10-3Pa，以Ar气为保护气体，O2气为反应气体，通入Ar气与O2，使Ar气的导气管口靠近Mg靶，O2的导气管口靠近基体，工作参数：工作压强为4～8Pa，溅射电流为1～4A，获得厚度约为0.5～1.2μm、致密均匀的MgO功能薄膜，所述O2气与Ar气的流量比为1～3∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01133478.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种快速生长氧化镁薄膜的方法
- 下一篇：一种MgO薄膜制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
