[发明专利]一种MgO薄膜制备工艺

摘要

本发明涉及一种MgO薄膜制备工艺，它采用多弧离子镀法，用纯Mg作为阴极靶，阳极和真空室相连，阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极；装炉前先用HF酸清洗基体，装炉后将真空室抽至8×10^-3～2.0×10^-2Pa，通入Ar气与H₂，加高偏压500～700V，利用辉光放电对基体表面进行轰击，轰击时间为3～5min，用O₂作反应气体，用Ar气作保护气体，氧气流量为160～270Sccm，并将Ar气的铜导气管末端做成圆形，其大小比Mg靶大，将其靠近Mg靶，而O₂的导气管口则靠近基体，用接触短路法引弧镀覆，弧电流为20～40A，弧电压为15V～40V，工作压强为2.0～8.0×10^-1Pa。采用本发明经济、无公害，沉积速度快，可在低温下沉积且致密度高。

主权项

1.一种MgO薄膜制备工艺，采用多弧离子镀法，其特征在于：用纯Mg作为阴极靶，阳极和真空室相连，阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极；装炉前先用HF酸清洗基体，装炉后将真空室抽至8×10-3～2.0×10-2Pa，通入Ar气与H2，加高偏压500～700V，利用辉光放电对基体表面进行轰击，轰击时间为3～5min；用O2作反应气体，用Ar气作保护气体，氧气流量为160～270Sccm，并将Ar气的铜导气管末端做成圆形，其大小比Mg靶大，将其靠近Mg靶，而O2的导气管口则靠近基体，用接触短路法引弧镀覆，弧电流为20～40A，弧电压为15V～40V，工作压强为2.0～8.0×10-1Pa。