[发明专利]检测磁场方向用的传感器有效

专利信息
申请号: 01133990.X 申请日: 2001-08-21
公开(公告)号: CN1343889A 公开(公告)日: 2002-04-10
发明(设计)人: 拉迪沃杰·波普维克;罗伯特·拉兹;克里斯蒂安·斯考特 申请(专利权)人: 桑特隆股份公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种检测磁场方向用的传感器,包括单独一个平坦形状的磁场聚集器(3)及至少一第一霍尔效应元件(2.1)和一第二霍尔效应元件(2.2),其中该霍尔效应元件被安置在磁场聚集器(3)的边缘(4)的区域内。磁场聚集器(3)可改变磁场磁力线(13)的走向,其影响是使没有磁场聚集器(3)时本来应该平行于霍尔效应元件(2.1、2.2)表面(8)的磁力线变成几乎垂直于表面(8)而穿透霍尔效应元件。除水平霍尔效应元件外,垂直霍尔效应元件也可以使用。
搜索关键词: 检测 磁场 方向 传感器
【主权项】:
1.用于检测磁场方向用的传感器,包括:一个具有平坦形状的单独的磁场聚集器(3),至少一第一霍尔效应元件(2.1)和一第二霍尔效应元件(2.2)或至少第一组(14)和第二组(15)霍尔效应元件,其中该霍尔效应元件被安置在磁场聚集器(3)的边缘(4)的区域中。
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