[发明专利]含多晶有源层的薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 01134417.2 | 申请日： | 2001-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1167114C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱承基;李石运 | 申请（专利权）人： | PT普拉斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示了一个制造含多晶硅有源层薄膜晶体管(TFT)的方法，其中无定形硅层被沉积在衬底上，通过用MILC(金属诱发侧面的结晶)来提供TFT的多晶硅的有源层。特别地，无定形硅层是在有源层的热处理期间被多晶化。热处理引起有源层的MILC源金属从部分源和漏区传播，该部分之上已通过TFT的连线洞形成了MILC源金属。根据本发明所制作的TFT已经改善了电子迁移率和漏电流等电特性。本发明还使MILC界线在沟道区外面形成，从而提高了TFT的性能，这样，MILC界线对TFT的运行不会产生不好的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 有源 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造含有结晶有源层的薄膜晶体管的方法，包含下述步骤：(a)提供衬底；(b)在硅衬底沉积无定形硅层，以提供包含源、漏和沟道区的薄膜晶体管的有源层；(c)形成门绝缘层，及衬底和有源层上的门电极；(d)在有源层的源、漏区中掺杂；(e)在衬底、有源层和门电极上形成连线绝缘层，以及在连线绝缘层上形成连线洞使部分源和漏区暴露在外；(f)在源和漏区通过连线洞暴露的部分上沉积MILC源金属；(g)对衬底和有源层进行热处理，使有源层结晶；(h)制作连线电极，通过连线洞与源和漏区电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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