[发明专利]一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件无效
| 申请号： | 01134693.0 | 申请日： | 2001-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1356559A | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | 潘礼庆;田跃;邱宏;王凤平;吴平;黄筱玲 | 申请（专利权）人： | 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/37 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 隧道 磁电 材料 三维 微弱 磁场 检测 器件 | ||
【主权项】：
1、一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件，其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。
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