[发明专利]防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构

摘要

一种防止天线效应的氮化硅只读存储器的结构，此结构由一字符线、一电荷捕捉层以及一金属保护线所组成。其中字符线覆盖于基底上，且字符线是由一硅化金属层与一多晶硅层组成。电荷捕捉层位于字符线与基底之间，且电荷捕捉层为一氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)复合层结构中的氮化硅层。金属保护线覆盖于基底上，连接字符线以及位于基底中的一接地掺杂区，且金属保护线的阻值高于字符线。工艺过程中所产生的电荷可以经由金属保护线导入基底中。而金属保护线的阻值高于字符线，可于工艺过程结束后，通过施加一高电流以烧断金属保护线，使只读存储器组件可以正常操作。

主权项

1、一种防止天线效应的氮化硅只读存储器的结构，该结构包括：一基底；一字符线，该字符线覆盖于该基底上，其特征是，该结构还包括：一电荷捕捉层，该电荷捕捉层位于该字符线与该基底之间；以及一金属保护线，该金属保护线覆盖于该基底之上，且连接该字符线以及位于该基底中的一接地掺杂区，其中该金属保护线的阻值高于该字符线。