[发明专利]具有浅接面的非挥发性内存的制造方法有效
| 申请号： | 01134772.4 | 申请日： | 2001-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1419282A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郭东政;黄守伟;刘建宏;潘锡树 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有浅接面的非挥发性内存的制造方法，其中一栅极结构形成于一基底上，此一栅极结构包括有一电子捕捉层及一导电层。一掺杂间隙壁形成在栅极结构的侧壁上。接着，多条埋入式位线形成于该栅极结构侧边的基底中。然后，进行一热处理，使掺质由掺杂间隙壁中扩散至邻接埋入式位线的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浅接面 挥发性 内存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有浅接面的非挥发性内存的制造方法，其特征为：包括：提供一基底，该基底中形成有复数个内衬堆栈结构，其中每一内衬堆栈结构包括一电子捕捉层与一导电层；在该些内衬堆栈结构的侧壁上形成复数个掺杂间隙壁，该些掺杂间隙壁中具有一掺质；在该些内衬堆栈结构间的该基底中形成复数个埋入式位线；以及使该些掺杂间隙壁中的该掺质扩散至基底中，以在该些掺杂间隙壁下方的该基底中形成复数个源极/漏极延伸区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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