[发明专利]发光器件及其制造方法和薄膜形成装置有效
申请号: | 01135571.9 | 申请日: | 2001-09-08 |
公开(公告)号: | CN1343011A | 公开(公告)日: | 2002-04-03 |
发明(设计)人: | 小沼利光;山崎宽子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L31/12;H05B33/00;G09F9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种制造向上发射型发光器件的方法以及一种用于本方法的薄膜形成装置。多个薄膜形成室连接到第一转移室。多个薄膜形成室包括金属材料蒸发室、EL层形成室、溅射室、CVD室以及密封室。通过使用薄膜形成装置,向上发射型EL元件在不把该元件暴露到外界空气的情况下能够制造。结果获得了可靠度高的发光器件。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 薄膜 形成 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜形成装置,其包括:第一薄膜形成室,其用于通过使用第一掩模得到第一图案并通过真空蒸发以形成第一导电膜;第二薄膜形成室,其用于通过使用第二掩模得到第二图案并通过真空蒸发以形成第二导电膜;第三薄膜形成室,其用于通过使用第三掩模得到第三图案并通过真空蒸发以形成有机膜;第四薄膜形成室,其用于形成光透射导电膜;其中,第一至第四薄膜形成室中的每一个都与转移室相连,其中转移室有用于转移衬底的转移装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的