[发明专利]形成半导体器件的金属线的方法有效
| 申请号： | 01135597.2 | 申请日： | 2001-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1351374A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 表成奎 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/321;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 赵仁临,张平元 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体器件的金属线的方法,其中经过化学增强剂和等离子体处理之后,在扩散隔膜层上沉积一层Cu薄膜,凭此提高具有超精细结构的接触孔的掩埋特性。该方法包括以下步骤在具有预定低级结构的半导体衬底上形成中间绝缘膜层;在所述中间绝缘膜层中形成镶嵌模型;在具有镶嵌模型的整个结构上形成扩散隔膜层;在所述扩散隔膜层上用化学增强剂处理,以在扩散隔膜层上形成化学增强剂薄膜;进行等离子体处理;在整个结构上形成Cu薄膜,以掩埋所述镶嵌模型;和进行抛光处理,以露出中间绝缘膜层的上表面,致使Cu薄膜留在镶嵌模型中。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的金属线的方法，该方法包括如下步骤：在具有预定低级结构的半导体衬底上形成中间绝缘膜层；在所述中间绝缘膜层中形成镶嵌模型；在具有镶嵌模型的整个结构上形成扩散隔膜层；在所述扩散隔膜层上用化学增强剂进行处理，以在该扩散隔膜层之上形成化学增强剂膜层；进行等离子体处理；在整个结构上形成Cu薄膜，以掩埋镶嵌模型；和进行抛光处理，以暴露出中间绝缘膜层的上表面，使Cu薄膜仅保留在镶嵌模型中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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