[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明在NPN晶体管和纵型PNP晶体管的介质隔离型的互补型双极型晶体管中提供实现晶体管的高耐压化用的一种半导体集成电路装置的制造方法。在形成本发明的半导体集成电路装置的集电区和集电极引出区时,在每个外延层中同时形成集电区的埋入层和集电极引出区的埋入层。然后,使各自的埋入层扩散并使其连接,刻蚀成V槽型。由此,同时形成已被厚膜化的集电区和集电极引出区,实现了高耐压化的半导体集成电路装置。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：准备一种导电型的半导体衬底的工序；在上述衬底上形成多层相反的导电型的外延层、扩散并连接已在上述衬底和上述外延层中形成的一种导电型和相反的导电型的埋入层、形成第1和第2岛区和在该第1和第2岛区的周围由高浓度杂质扩散层构成的第1和第2埋入层的工序；留下上述第1和第2埋入层、将上述第1和第2岛区的两端部刻蚀成V槽型的工序；在上述第1和第2埋入层的表面上形成氧化膜、在该氧化膜上形成多晶半导体层的工序；在上述多晶半导体层上形成氧化膜、经该氧化膜贴合支撑衬底的工序；以及以上述支撑基板为底面、研磨上述半导体衬底直到露出上述第1和第2岛区的工序。