[发明专利]高效能栅极氮化物只读存储器的结构有效
| 申请号： | 01135825.4 | 申请日： | 2001-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1412858A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张国华;邱珍元 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种高效能栅极氮化物只读存储器的结构。本结构包含隧道(tunnel)氧化层在底材上，接着，非晶硅层在隧道氧化层上，再者，多晶硅锗层在非晶硅层上，然后，内多晶硅介电层在多晶硅锗层上。最后，多晶硅层在内多晶硅介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 高效能 栅极 氮化物 只读存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在底材上的栅极结构，该栅极结构包含：一隧道氧化层，在该底材上；一非晶硅层，在该隧道氧化层上；一多晶硅锗层，在该非晶硅层上；一内多晶硅介电层，在该多晶硅锗层上；及一多晶硅层，在该内多晶硅介电层上。
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