[发明专利]隧道氧化层的制造方法

摘要

一种隧道氧化层(TunnelOxide)的制造方法。本发明的方法是利用快速热处理(RapidThermalProcess；RTP)取代现有利用炉管工艺(FumaceProcess)，以单晶片快速热氧化(RapidThermalOxidation；RTO)方式成长二氧化硅(SiliconDioxide；SiO2)薄膜当作隧道氧化层，再以原地(In－Situ)方式进行隧道氧化层的快速热退火(RapidThermalAnnealing；RTA)工艺，以改善隧道氧化层的品质。因此，可缩减隧道氧化层的生长时间，且降低所需的热预算(ThermalBudget)，并提高隧道氧化层的均匀度，还可避免更换反应室所引发的污染与所耗费的人力资源。

主权项

1.一种隧道氧化层的制造方法，至少包括：提供一基材；提供一快速加热器，用以在该基材上形成一二氧化硅薄膜，其中在该基材上形成该二氧化硅薄膜的步骤至少包括：加热该基材，使该基材具有一第一反应温度；以及注入一第一反应气体以进行一热氧化反应，且该第一反应气体至少包括一氢气与一氧气，其中该第一反应气体的该氢气的一流量对该第一反应气体的该氧气与该第一反应气体的该氢气的一流量和具有一预设比值；以及以该快速加热器对该基材上的该二氧化硅薄膜进行一退火步骤，其中该退火步骤包括控制一参数，该参数至少包括：一第二反应温度；一压力；以及一第二反应气体，其中该第二反应气体包括一氮气及一氧气，且该第二反应气体的该氮气的一流量介于约每分钟5公升至约每分钟10公升，该第二反应气体的该氧气的一流量介于每分钟0.2公升至每分钟0.5公升。