[发明专利]应用于系统芯片的半导体器件的制造方法

摘要

一种应用于系统芯片的半导体器件的制造方法，提供具有存储单元与外围电路区的基底，在此基底的存储单元形成复数个位线与第一介电层，以及在外围电路区形成第二介电层。接着，在存储单元区与外围电路区形成复数个栅极后，以仅能够穿透外围电路区的基底表面但无法穿透存储单元区的基底表面的能量进行P型金氧半导体晶体管的淡掺杂源极/漏极区的离子植入。然后，在栅极的侧壁形成复数个间隙壁，其中形成在存储单元区中相邻的栅极侧壁的间隙壁彼此相连。之后，再在外围电路区的P型金氧半导体晶体管器件区的栅极两侧的基底中形成复数个P型源极/漏极区。

主权项

1.一种应用于系统芯片的半导体器件的制造方法，其特征在于：该方法包括：提供一基底，该基底包括一存储单元区与一外围电路区；在该基底的该存储单元区形成复数个位线；在该基底的该存储单元区与该外围电路区分别形成一第一介电层与一第二介电层；在该基底的该存储单元区与该外围电路区形成复数个栅极；进行一全面性离子植入步骤，该离子植入步骤的离子植入能量使所植入的离子足以在该外围电路区的一P型金氧半导体晶体管器件区的该些栅极两侧的该基底中形成复数个P型淡掺杂源极/漏极区，但无法在该存储单元区的该基底中形成一抗击穿离子植入区；在该些栅极的侧壁形成复数个间隙壁，其中该存储单元区之中相邻的该些栅极侧壁所形成的该些间隙壁彼此相连；进行一离子植入步骤，以在该外围电路区的该P型金氧半导体晶体管器件区的该些栅极两侧的该基底中形成复数个P型源极/漏极区。