[发明专利]氮化只读存储器的结构及其制造方法

摘要

一种氮化只读存储器的结构及其制造方法。此结构至少包括位于基底上的栅介电复层、位于栅介电复层表面的氧化硅层、位于栅介电复层的两侧基底中的位线氧化层、位于位线氧化层下方基底中的源极/漏极与横越栅介电复层与位线氧化层之上的栅极。其中栅介电复层是由底氧化层、氮化硅层与顶氧化层所组成，而氧化硅层是由化学气相沉积法所沉积而成。本发明可以减少热预算，并减少源极/漏极的横向扩散，以增加集成电路的集成度。

主权项

1.一种氮化只读存储器的结构，该结构至少包括：一栅介电复层位于一基底上；共形的一氧化硅层位于该栅介电复层的表面；二位线氧化层位于该栅介电复层的两侧该基底中；二源极/漏极分别位于该些位线氧化层下方的两侧该基底中；以及一栅极跨越该栅介电复层与该二位线氧化层之上。