[发明专利]紫外光制备碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 01136301.0 | 申请日： | 2001-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1412109A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 彭鸿雁;申家镜;申辉 | 申请（专利权）人： | 黑龙江省光电技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 157000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特点是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内并抽真空到≤10Pa后通入原料气体，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。本发明具有分解效率高，能耗少，无污染的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特征是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤10Pa后通入原料气体包括氢气、甲烷(或其它含碳气体化合物)，控制气体压强在3～6KPa，生长衬底的温度为400～600℃，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。
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