[发明专利]纳米级氮化硅复合材料发热体及制作工艺无效
| 申请号： | 01136305.3 | 申请日： | 2001-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1412268A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘庆昌 | 申请（专利权）人： | 刘庆昌 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利事务有限公司 | 代理人： | 王苑祥 |
| 地址： | 050041 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明是对氮化硅发热体的改进。它采用纳米级氮化硅细粉填加入普通氮化硅粉达到改性的目的，使配方组份中省略了价格昂贵的氮化铝，从而使高压高温烧结工艺转化为常压高温下烧结。不但大大降低了成本而且提高了发热体的质量，有利于推广普及。配方中采取了45～82％的0.1～5μm的氮化硅和14～40％的小于100nm级的氮化硅微粉，配上0.1～5％的三氧化二铝和3.9～10％的三氧化二钇填加剂，获得了满意的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氮化 复合材料 发热 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种氮化硅发热体，它由引出导线、与导线相连的电热丝以及与电热丝烧结成一体的氮化硅复合材料本体组成，其特征在于本体的组份配比为(重量百分比)：氮化硅粒度在0.1～5μm，占45～82％，粒度小于100nm，占14～40％，三氧化二铝占0.1～5％，三氧化二钇占3.9～10％。
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