[发明专利]晶片级芯片尺寸封装结构及其工艺无效
申请号: | 01136689.3 | 申请日: | 2001-10-26 |
公开(公告)号: | CN1414618A | 公开(公告)日: | 2003-04-30 |
发明(设计)人: | 蔡金英;宋明忠;叶云贤;大井政幸 | 申请(专利权)人: | 华治科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶片级芯片尺寸封装主要是由一芯片、至少一介电层、一应力缓冲层、多个第一焊球以及多个第二焊球所构成。通过封装体中上层介电层包覆下层介电层的结构以改善两介电层之间剥离的现象,并通过应力缓冲层与芯片之间的阶梯式结构,进一步改善应力缓冲层的剥离现象以及水气渗入封装体的几率。此外,本发明也提出一种上述结构的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 晶片 芯片 尺寸 封装 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种晶片级芯片尺寸封装工艺,其特征是,该工艺至少包括:提供一晶片,该晶片上具有多个芯片,其特征是,每一该些芯片具有一主动区域,而该主动区域上配置有多个焊垫以及一用以保护该芯片表面并将该些焊垫暴露的保护层;将多个第一焊球配置于该些芯片上;进行一第一回焊,以将该些第一焊球固着于该些芯片上;进行一预切割步骤,以于该些芯片之间形成多个沟渠;形成一应力缓冲层于该晶片上,以填入该些沟渠中并将该些第一焊球包覆;将该应力缓冲层研磨,以将该些第一焊球暴露;将多个第二焊球配置于该些暴露出来的第一焊球上;进行一第二回焊,以将该些第二焊球固着于该些暴露出来的第一焊球上;以及进行一单体化切割步骤,以将该些芯片单体化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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