[发明专利]蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法有效
| 申请号： | 01136692.3 | 申请日： | 2001-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1414378A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 林明裕;陈威铭;黄彦智;林世丰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/89 | 分类号： | G01N21/89;G01N21/94;H01J37/28 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法，此方法将一光阻控片置于一蚀刻机台中，并将其传送至一主蚀刻室，接着开启等离子源，以进行光阻控片的光阻层的蚀刻步骤。之后，检测蚀刻后的光阻控片的微粒数，以判断蚀刻机台的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 反应 动态 微尘 污染 状态 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法，其特征在于：该方法包括：提供具有一光阻层的一光阻控片；将该光阻控片置于一蚀刻机台中，对该光阻控片的该光阻层进行一蚀刻步骤；检测该经蚀刻后的光阻控片的微粒数，以判断该蚀刻机台的污染状态。
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