[发明专利]一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置有效
| 申请号： | 01136694.X | 申请日： | 2001-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1414147A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 屠海令;秦福;周旗钢;张果虎;方锋;吴志强;戴小林 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京元中专利事务所 | 代理人： | 母宗绪 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及生产硅单晶棒的掺杂方法及设备，是一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂的方法及装置，用于直拉硅单晶的掺杂。将待掺杂的元素置于掺杂装置的内筒中，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降到多晶硅熔体的液面上，在石英坩埚的旋转下，使被掺杂的元素挥发完全，使石英坩埚继续旋转所需时间，安装上特定晶向的籽晶进行单晶硅棒的拉制。应用本发明的气相掺杂法解决了已有技术中掺杂效率低的技术问题。提高了掺杂效率，减少了回熔次数；本发明的掺杂装置由钟罩、吊钩、内筒所组成，使得本发明的掺杂方法得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 直拉硅单晶 制备 中的 掺杂 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法，其特征在是：1)将所要掺杂的需要量的掺杂元素，置于掺杂装置的内筒中；2)将带有内筒的掺杂装置悬挂在晶体提拉舱室中，抽真空，晶体提拉舱室和晶体生长室中充入氩气；3)将原料多晶硅熔化，多晶硅熔化后，，在石英坩埚旋转的条件下，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降至多晶硅熔体的液面上；4)待被掺杂的元素挥发完全后，盛有硅熔体的石英坩埚继续旋转所需要的时间；5)将带有内筒的掺杂装置提升到晶体提拉舱室中，关闭晶体提拉舱室与晶体生长室之间的隔离阀，向晶体拉舱室中充入氩气，使氩气的压力为1.1×105Pa，打开晶体提拉舱室的门，安装上特定晶向的籽晶，6)将晶体提拉舱中的压力抽至晶体生长室的压力，开启隔离阀，进行单晶硅棒拉制。
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