[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 01136837.3 | 申请日： | 2001-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1351369A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 岸田刚信;原田刚史;樋野村彻;阿部弘光;佐竹光成;国光健一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/768;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法,在半导体衬底10上形成下层金属布线,在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中,填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：淀积在形成于半导体衬底上的绝缘膜上的凹部底面以及壁面上的第1金属膜；填入到所述凹部的所述第1金属膜上的第2金属膜；所述第2金属膜的结晶面由在(110)面上取向的钨的多结晶膜构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
