[发明专利]可擦写可编程只读存储器有效
| 申请号： | 01136877.2 | 申请日： | 2001-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1416174A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨青松;沈士杰;徐清祥 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可擦写可编程只读存储器，至少包含两串接的P型金氧半场效晶体管，其中第一P型金氧半场效晶体管(PMOS)做为选择晶体管(selecttransistor)，其闸极连接至选择闸极电位(VSG)，第一端点(源极)连接至源极线电位(VSL)，第二端点(汲极)则串接至第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第一端点，该第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第二端点连接至位元线电位(VBL)，上述第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的闸极做为浮置闸极，上述非挥发性存储器的特征为不需控制闸极施加特定偏压下执行编程模式，利用适当的偏压条件，以将载子“自动”注入上述浮置闸极。 | ||
| 搜索关键词： | 擦写 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种可擦写可编程只读存储器，其特征是：至少包含：两串接的P型金氧半场效晶体管，其中第一P型金氧半场效晶体管(PMOS)做为选择晶体管(selecttransistor)，其闸极耦合至选择闸极电位(VSG)，第一端点(源极)连接至源极线电位(VSL)第二端点(汲极)则串接至第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第一端点，该第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第二端点连接至位元线电位(VBL)，上述第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的闸极做为浮置闸极，该单一复晶体矽埋入式可擦写可编程只读存储器不需控制闸极施加特定偏压下执行编程模式，利用适当的偏压条件，以将载子“自动”注入上述浮置闸极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
