[发明专利]曝光方法无效
| 申请号： | 01137027.0 | 申请日： | 2001-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1350205A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 竹内幸一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图形形成方法,能在衬底平面中形成有均匀尺寸精度的微细光刻胶图形,而不增大生产成本和不延长生产周期。该方法中,用光刻法在衬底上形成含光酸发生剂的第1光刻胶图形后,衬底上涂敷覆盖第1光刻胶图形的含有与酸反应的交联剂的光刻胶膜。第1光刻胶图形与光刻胶膜之间的界面处发生交联反应,生长交联层,形成交联层和第1光刻胶图形构成的第2光刻胶图形,在衬底上涂光刻胶层之前进行第1光刻胶层的光辐射步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，包括以下步骤：衬底上形成含有光酸发生剂的第1光刻胶图形；光辐射第1光刻胶图形的曝光表面；光辐射后，衬底上涂敷覆盖第1光刻胶图形的含有能与酸反应的交联剂的光刻胶膜；在第1光刻胶图形与光刻胶层之间的界面处引起交联反应，生长交联层；和形成交联层和第1光刻胶图形构成的第2光刻胶图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01137027.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反射型液晶显示装置
- 下一篇：治疗糖尿病的FBP酶抑制剂与胰岛素致敏剂的组合
