[发明专利]磁阻元件、其制造方法和化合物磁性薄膜的形成方法

摘要

本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件,其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜,上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体,并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。

主权项

1.磁阻元件，其特征在于包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层，上述磁性层的一方是比另一方的磁性层对外部磁场更难磁化旋转的固定磁性层，该固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜，上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。