[发明专利]集成电路装置无效
| 申请号： | 01137156.0 | 申请日： | 2001-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1341967A | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | J·班格尔特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L43/00;G11C11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 该集成电路装置具有至少一个电流导体,该导体在流过电流的状态时产生一个磁场,该磁场至少影响该电路装置的另一部分,其中为了影响所产生的磁场,从横截面上看电流导体(2,3,16)在朝着该部分的面上具有至少一个凹陷(17)或凹槽或具有一个低电导率的区域(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.集成电路装置，它具有至少一个电流导体，该导体在流过电流的状态时产生一个磁场，该磁场至少影响该电路装置的另一部分，其特征在于：为了影响所产生的磁场，从横截面上看电流导体(2，3，16)在朝着该部分的面上具有至少一个凹陷(17)或凹槽或具有一个低电导率的区域(22)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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