[发明专利]生成碳化钨的方法无效
| 申请号： | 01137415.2 | 申请日： | 1996-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1396112A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 杰罗米·P·唐尼;彼得·W·西沃特 | 申请（专利权）人： | 国际卡比泰克工业公司 |
| 主分类号： | C01B31/34 | 分类号： | C01B31/34;C01G41/00;C07F11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元,范明娥 |
| 地址： | 加拿大不列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生产碳化钨的方法，包括以下步骤在钠或钾化合物存在的条件下，将钨精矿加热到900℃至1200℃，得到头熔物；将所述的头熔物维持在900℃至1200℃，直到所述的熔融物分离成高密度的含钨相和低密度的渣相，其中至少80％的所述精钨矿中的钨进入了所述的高密度含钨相；从所述低密度渣相中分出所述高密度含钨相；将所述高密度含钨相加热到1050℃至1200℃得到二熔物；向所述二熔物喷入甲烷气体以形成含碳化钨的经喷射处理的二熔物；将富集碳化钨的部分从所述的经喷射处理的二熔物中分离出来；和纯化所述的富集碳化钨部分，以得到纯化的碳化钨。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 碳化 方法 | ||
【主权项】：
1.生成碳化钨的方法，包括以下步骤：(a)在钠或钾化合物存在的条件下，将钨精矿加热到900℃至1200℃，得到头熔物；(b)将所述的头熔物维持在900℃至1200℃，直到所述的熔融物分离成高密度的含钨相和低密度的渣相，其中至少80％的所述精钨矿中的钨进入了所述的高密度含钨相；(c)从所述低密度渣相中分出所述高密度含钨相；(d)将所述高密度含钨相加热到1050℃至1200℃得到二熔物；(e)向所述二熔物喷入甲烷气体以形成含碳化钨的经喷射处理的二熔物；(f)将富集碳化钨的部分从所述的经喷射处理的二熔物中分离出来；和(g)纯化所述的富集碳化钨部分，以得到纯化的碳化钨。
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