[发明专利]压敏非线性电阻器陶瓷、制造方法和压敏非线性电阻器

摘要

一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

主权项

1.一种复合钙钛矿基半导体陶瓷的压敏非线性电阻陶瓷，包含由Sr、Ba、Ca及Ti的氧化物组成的第一成分；第二成分和第三成分的至少之一个成分，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。所述陶瓷基本不含Mg，并且具有这样的组成0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6，其中a是对所述第一成分的Sr作为SrO计算的克分子数，b是对所述第一成分的Ba作为BaO计算的克分子数，c是对所述第一成分的Ca作为CaO计算的克分子数，d是对所述第一成分的Ti作为TiO计算的克分子数，e是对所述第二成分的R分别作为YO3/2、CeO2、PrO11/6、TbO7/4及RO3/2(其它镧系元素)计算的克分子数，f是对所述第三成分的M作为NbO5/2及TaO5/2分别计算的克分子数，g是对所述第四成分的Si作为SiO2计算的克分子数。