[发明专利]半导体存储器及其制造方法和驱动方法

摘要

一种双位非易失可编程读/写存储器，包括半导体存储元件，该元件包括一导电类型半导体衬底21，其上形成有侧表面相对的凸状部分24a、在凸部两侧的衬底表面上形成的一对相反导电类型源/漏区23a、23b、覆盖凸部上表面的第一绝缘膜22a、覆盖凸部侧表面和源/漏区23a、23b的第二绝缘膜22、在凸部侧表面上分别设置的经由第二绝缘膜与侧表面和源/漏区相对的一对浮置栅27a、27b、在浮置栅上形成的第三绝缘膜29以及分别经由第一绝缘膜与凸部上表面相对和经由第三绝缘膜与浮置栅相对的控制栅30a。

主权项

1.一种半导体存储器，包括半导体存储元件，该元件包括：一种导电类型半导体衬底，其上形成有具有一对相对的侧表面且与所述半导体衬底导电类型相同的凸状部分；在凸状部分两侧的半导体衬底表面上形成的一对与所述半导体衬底导电类型相反的导电类型源/漏区；用于覆盖凸状部分上表面的第一绝缘膜；用于覆盖凸状部分的侧表面和源/漏区的第二绝缘膜；设置在凸状部分的侧表面上经由第二绝缘膜分别与侧表面和源/漏区相对的一对浮置栅；在浮置栅上形成的第三绝缘膜；以及分别经由第一绝缘膜与凸状部分的上表面相对和经由第三绝缘膜与浮置栅相对的控制栅。