[发明专利]包含显现强磁性隧道效应的存储元件的磁性存储装置无效
| 申请号： | 01137875.1 | 申请日： | 2001-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1353422A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山田光一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在防止放大器(读出放大器)构成变得复杂的同时能够高速读出的磁性存储装置。该磁性存储装置由显现强磁性隧道效应的,两个第1及第2存储元件、两个第1及第2晶体管构成存储单元的同时,并且利用放大器检测出与两个第1及第2存储元件连接的位线及反相位线的电位差。由此,能够容易地读出数据。又,如由显现强磁性隧道效应的1个存储元件与1个晶体管构成的存储单元的情况那样,不必检测出流过位线的微小的电流值。其结果是,放大器的构造不会变得复杂。又,由于不需采用结构复杂的放大器,故能高速地读出。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 显现 磁性 隧道 效应 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储装置，其特征在于，具备：由显现强磁性隧道效应的第1存储元件以及第2存储元件、与所述第1以及第2存储元件分别连接的第1以及第2晶体管形成的存储单元；连接在所述第1以及第2晶体管的控制端上的字线；通过所述第1晶体管与所述第1存储元件连接的位线；通过所述第2晶体管与所述第2存储元件连接并且与所述位线构成位线对的反相位线；和与所述位线及所述反相位线连接的放大器，在读出数据时，向所选择的所述字线输入信号，同时通过向所述字线输入信号而采用所述放大器读出在所述位线与所述反相位线之间产生的电位差。
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