[发明专利]半导体开关器件及过电流切断方法无效
| 申请号： | 01138402.6 | 申请日： | 2001-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1162970C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 大岛俊藏 | 申请（专利权）人： | 矢崎总业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;H02H3/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括稳态分量电流(Irefc)和瞬态分量电流(Ireft)的基准电流(Iref)被馈送给基准FET(QB)，从而使当流经主FET(QA)的负载电流(ID)不位于包含瞬态分量的过电流范围内时，所述主FET(QA)的源极电位(VSA)不低于所述基准FET(QB)的源极电位(VSB)。通过检测所述主FET(QA)源极电位(VSA)低于所述基准FET的源极电位(VSB)使所述基准电流(Iref)振动。振动次数被计数为预定次数，借此使所述主FET(QA)截止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 器件 电流 切断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关器件，包括：包括主场效应晶体管场效应晶体管(QA)和基准场效应晶体管(QB)的多源极场效应晶体管(Tr5)；电压比较器(CMP1)，用于检测所述主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)是否低于所述基准场效应晶体管(QB)的源极电位(VSB)；栅极驱动电路(8)，基于电压比较器(CMP1)的检测，所述栅极驱动电路在主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)高于基准场效应晶体管(QB)的源极电位(VSB)时使多源极场效应晶体管(Tr5)处于导通状态，并且在主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)低于基准场效应晶体管(QB)的源极电位(VSB)时使多源极场效应晶体管(Tr5)处于截止状态；基准电流设置电路(11)，用于将包括稳态分量电流(Irefc)和瞬态分量电流(Ireft)的基准电流(Iref)馈送给基准场效应晶体管(QB)，从而使得在稳态时流过所述主效应晶体管(QA)的负载电流(ID)不在过电流的范围之内时所获得的所述主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)不低于所述基准场效应晶体管(QB)的源极电位(VSB)，并且使得一旦电压比较器(CMP1)检测所述主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)低于基准场效应晶体管(QB)的源极电位(VSB)时就开始馈送瞬态分量电流(Ireft)；计数器(14)，基于电压比较器(CMP1)的检测，所述计数器对所述主场效应晶体管(QA)的源极电位(VSA)的振动次数计数到预定次数，并且如果计数器溢出，则所述栅极驱动电路(8)截止所述多源极场效应晶体管(Tr5)。
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