[发明专利]产生铟离子束的装置与方法无效
| 申请号： | 01138421.2 | 申请日： | 2001-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1353442A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山下贵敏 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J27/08 | 分类号： | H01J27/08;H01J37/08;C23C14/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,刘玥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子源2,它包含使固体物质6退火产生蒸汽8的加热炉4,以及使蒸汽8电离产生等离子体24的等离子体发生器16。该离子源2用于产生离子束。三氟化铟用作所述的固体物质,它曾在温度600℃至低于1170℃下加热,从而能够产生稳定量的铟离子束。对于固体物质6,可以使用In(OF)xF3－x(x=1,2或3)。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 离子束 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种产生铟离子束的方法，该方法包括下述步骤：a)在加热炉中使In(OF)xF3-x(x＝1，2或3)退火，以便在所述的加热炉中产生所述的In(OF)xF3-x(x＝1，2或3)蒸汽；b)在放电室中，使在所述加热炉中产生的所述蒸汽电离，以便产生等离子体；以及c)从所述的等离子体导出铟离子束。
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