[发明专利]横向多晶硅PIN二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 01138535.9 | 申请日： | 2001-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1357926A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 戴维·R·格林伯格;戴尔·K·杰达斯;塞沙德里·萨班纳;基思·M·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有横向延伸的I区的P型区－本征区－N型区二极管。本发明还提供了一种制造本发明的P型区－本征区－N型区二极管的方法,该方法与诸如硅锗BiCMOS工艺的现代RF技术兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 多晶 pin 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向P型区-本征区-N型区二极管，包括大晶粒多晶硅，并具有形成在厚氧化物隔离层上的扩大的本征区。
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