[发明专利]图案检查设备,和使用其的曝光设备控制系统无效
申请号: | 01138570.7 | 申请日: | 2001-08-23 |
公开(公告)号: | CN1349252A | 公开(公告)日: | 2002-05-15 |
发明(设计)人: | 森田昌幸;玉田仁志;今井裕 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一个图案检查设备7被用于光刻的半导体生产线1中。图案检查设备7测量通过曝光设备4中的曝光过程形成在半导体晶片100上的绝缘图案和L/S图案二者的线宽,并且基于测量的结果产生要用来校正曝光设备4中的光量的光量校正信息,要用来校正曝光聚焦位置的聚焦校正信息等等。于是,相应于通过图案检查设备7产生的这些校正信息,曝光设备4中的曝光被校正。于是,通过曝光设备4形成的抗蚀图案能够被快速地检查从而允许基于检查结果实时地校正曝光设备4的参数,并且高准确地控制曝光设备4的参数。 | ||
搜索关键词: | 图案 检查 设备 使用 曝光 控制系统 | ||
【主权项】:
1.一种图案检查设备,其相对将被制造的半导体电路的图案光检查形成在半导体晶片上的抗蚀图案,该设备包括:用来至少测量为凸起图案的绝缘图案的线宽和其中凸起图案和凹下图案以预定周期重复的重复图案的线宽二者的装置;和用来产生想通过曝光设备来校正曝光的校正信息的装置,该曝光装置基于已经通过上述测量装置测量的绝缘图案的线宽和重复图案的线宽用来形成抗蚀图案;校正信息产生装置把从绝缘图案的线宽误差和重复图案的线宽误差中获得的曝光设备的曝光状态误差信息分离成光量误差分量和曝光聚焦位置误差分量,从而产生要用来校正光量的光量校正信息和要用来校正曝光聚焦位置的聚焦校正信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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