[发明专利]一种微量掺锗直拉硅单晶有效
| 申请号： | 01139098.0 | 申请日： | 2001-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1422988A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的微量掺锗直拉硅单晶,它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑,浓度为1×1013～1×1020cm－3的锗。这种直拉硅单晶,由于掺杂微量的锗,锗元素的最外层电子数和硅元素一样,都是4个,不会影响硅材料的电学性能,而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用,可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷,能有效提高硅单晶的质量和成品率,利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微量 掺锗直拉硅单晶 | ||
【主权项】：
1.一种微量掺锗直拉硅单晶，其特征在于它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑，浓度为1×1013～1×1020cm-3的锗。
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