[发明专利]弧块式低副单向超越离合器无效
| 申请号： | 01139503.6 | 申请日： | 2001-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1420291A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王树春 | 申请（专利权）人： | 王树春 |
| 主分类号： | F16D41/02 | 分类号： | F16D41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150006 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 在现有的楔块式单向超越离合器中的楔块分别与内、外环构成高副。由于是线接触，单向脉动循环的压、切应力使疲劳极限降低，传递转矩小。由于接触面积小，变形大，空转角度大，效率低，在开、合次数增多时，寿命低。在现有的单向超越离合器上只增加弧块，使外环、弧块、楔块、内环之间用转动副连接，则成为弧块式低副单向超越离合器如图1。由于低副是面接触，疲劳极限增大，可传递大转矩。变形小，空转角度小，效率高。不受开、合次数限制、寿命长。它可用在脉动无级变速器上或其它地方。 | ||
| 搜索关键词： | 弧块式低副 单向 超越离合器 | ||
【主权项】：
1.弧块式低副单向超越离合器是由楔块[1]、内环[2]、弹簧[3]、弧块[4]、外环[5]组成，其特征是外环[5]、弧块[4]、楔块[1]、内环[2]之间用三个转动副连接；当外环[5]顺时针转动时三个转动副均自锁，内环[2]、外环[5]同步转动；当外环[5]反时针转动时三个转动副均不自锁，内环[2]不转动。
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